- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datablad
G630J.pdfVill du ha ett bättre pris?
Lägg till i CART och Skicka RFQ nu, vi kommer att kontakta dig omedelbart.
| Kvantitet | Enhetspris | Ext.Pris |
|---|---|---|
| 1+ | $0.20 | $0.20 |
G630J tekniska specifikationer
Goford Semiconductor - G630J Tekniska specifikationer, attribut, parametrar och delar med liknande specifikationer som Goford Semiconductor - G630J
| Produktattribut | Attributvärde | |
|---|---|---|
| Tillverkare | Goford Semiconductor | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Leverantörs Device Package | TO-251 | |
| Serier | G | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Effektdissipation (Max) | 83W (Tc) | |
| Förpackning / Fodral | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Paket | Tube |
| Produktattribut | Attributvärde | |
|---|---|---|
| Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Monteringstyp | Through Hole | |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 509 pF @ 25 V | |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs | 11.8 nC @ 10 V | |
| FET-typ | N-Channel | |
| FET-funktionen | - | |
| Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På) | 10V | |
| Avlopp till källspänning (Vdss) | 200 V | |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| ATTRIBUT | BESKRIVNING |
|---|---|
| RoHs status | ROHS3 -kompatibel |
| Nå status | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
De tre delarna till höger har liknande specifikationer som Goford Semiconductor G630J.
| Produktattribut | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | G630J | G63113 | G63114 | G630HAA12246EU |
| Tillverkare | Goford Semiconductor | Glenair | Glenair | Amphenol ICC (Commercial Products) |
| Vgs (Max) | ±20V | - | - | - |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) | - | - | - |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 509 pF @ 25 V | - | - | - |
| Paket | Tube | Bulk | Bulk | Tray |
| Monteringstyp | Through Hole | - | - | Board Edge, Straddle Mount |
| FET-funktionen | - | - | - | - |
| Avlopp till källspänning (Vdss) | 200 V | - | - | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | - | - | - |
| Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.5A, 10V | - | - | - |
| Leverantörs Device Package | TO-251 | - | - | - |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| Förpackning / Fodral | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | - | - | - |
| Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På) | 10V | - | - | - |
| FET-typ | N-Channel | - | - | - |
| Effektdissipation (Max) | 83W (Tc) | - | - | - |
| Serier | G | * | * | G630H |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs | 11.8 nC @ 10 V | - | - | - |
Ladda ner G630J PDF -datablad och Goford Semiconductor -dokumentation för G630J - Goford Semiconductor.
G63113GlenairCONNECTOR
G63114GlenairCONNECTOR
G63105-10GlenairCONNECTOR
G63116-1MGlenairCONNECTOR
G63102-36GlenairCONNECTOR
G63118-24GlenairCONNECTOR
G63118-24NFGlenairCONNECTOR
G63105-14HGlenairCONNECTOR
G63105-14GlenairCONNECTOR
G630HAA2857EAHRAmphenol ICC (FCI)PCIE RA SMT H5.8MM 164PDin e -postadress publiceras inte.
| Vanliga länder logistisk tidsreferens | ||
|---|---|---|
| Område | Land | Logistisk tid (dag) |
| America | USA | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Tyskland | 5 |
| Förenade kungariket | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Oceanien | Australien | 6 |
| Nya Zeeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Mellanöstern | Israel | 6 |
| DHL & FedEx leveransavgifter Reference | |
|---|---|
| Leveransavgifter (KG) | Referens DHL (USD $) |
| 0,00 kg till 1,00 kg | $ 30,00 USD - $ 60,00 |
| 1,00 kg 2.00 kg | $ 40,00 $ - $ 80,00 |
| 2,00 kg-3,00 kg | $ 50,00 - $ 100,00 USD |

Vill du ha ett bättre pris? Lägg till i CART och Skicka RFQ nu, vi kommer att kontakta dig omedelbart.