- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datablad
SiS322DNT.pdfPCN -montering/ursprung
Transfer Of Assembly,Test 31/May/2017.pdfSIS322DNT-T1-GE3 tekniska specifikationer
Vishay Siliconix - SIS322DNT-T1-GE3 Tekniska specifikationer, attribut, parametrar och delar med liknande specifikationer som Vishay Siliconix - SIS322DNT-T1-GE3
| Produktattribut | Attributvärde | |
|---|---|---|
| Tillverkare | Vishay / Siliconix | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | +20V, -16V | |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Leverantörs Device Package | PowerPAK® 1212-8 | |
| Serier | TrenchFET® | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 10A, 10V | |
| Effektdissipation (Max) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) | |
| Förpackning / Fodral | PowerPAK® 1212-8 | |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produktattribut | Attributvärde | |
|---|---|---|
| Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Monteringstyp | Surface Mount | |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 15 V | |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5 nC @ 10 V | |
| FET-typ | N-Channel | |
| FET-funktionen | - | |
| Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På) | 4.5V, 10V | |
| Avlopp till källspänning (Vdss) | 30 V | |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C | 38.3A (Tc) | |
| Basproduktnummer | SIS322 |
| ATTRIBUT | BESKRIVNING |
|---|---|
| RoHs status | ROHS3 -kompatibel |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
De tre delarna till höger har liknande specifikationer som Vishay Siliconix SIS322DNT-T1-GE3.
| Produktattribut | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | SIS322DNT-T1-GE3 | SIS330DN-T1-GE3 | SIS328MX(C1) | SIS307ELVBOBA |
| Tillverkare | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | SIS | SIS |
| Basproduktnummer | SIS322 | SIS330 | - | - |
| FET-funktionen | - | - | - | - |
| Avlopp till källspänning (Vdss) | 30 V | 30 V | - | - |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 15 V | 1300 pF @ 15 V | - | - |
| Leverantörs Device Package | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | - | - |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C | 38.3A (Tc) | 35A (Tc) | - | - |
| Effektdissipation (Max) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | - | - |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| Monteringstyp | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| Förpackning / Fodral | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | - | - |
| Serier | TrenchFET® | TrenchFET® | - | - |
| FET-typ | N-Channel | N-Channel | - | - |
| Vgs (Max) | +20V, -16V | ±20V | - | - |
| Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | - | - |
| Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 10A, 10V | 5.6mOhm @ 10A, 10V | - | - |
Ladda ner SIS322DNT-T1-GE3 PDF -datablad och Vishay Siliconix -dokumentation för SIS322DNT-T1-GE3 - Vishay Siliconix.
SIS328MX(C1)SIS
SIS307ELVBOBASIS
SIS330SIS
SIS328VX-C1SIS
SIS315SIS
SIS302LVMVSIS
SIS328MXSIS
SIS307DVSIS
SiS330DNElectro-Films (EFI) / Vishay
SIS315-A0GA-LFSIS
SIS305SIS
SIS307ELVSIS
SIS332DNElectro-Films (EFI) / Vishay
SIS316MXSIS
SIS328VXC1SIS
SIS332DN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay
SIS302LVMV-E0SISDin e -postadress publiceras inte.
| Vanliga länder logistisk tidsreferens | ||
|---|---|---|
| Område | Land | Logistisk tid (dag) |
| America | USA | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Tyskland | 5 |
| Förenade kungariket | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Oceanien | Australien | 6 |
| Nya Zeeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Mellanöstern | Israel | 6 |
| DHL & FedEx leveransavgifter Reference | |
|---|---|
| Leveransavgifter (KG) | Referens DHL (USD $) |
| 0,00 kg till 1,00 kg | $ 30,00 USD - $ 60,00 |
| 1,00 kg 2.00 kg | $ 40,00 $ - $ 80,00 |
| 2,00 kg-3,00 kg | $ 50,00 - $ 100,00 USD |
Vill du ha ett bättre pris? Lägg till i CART och Skicka RFQ nu, vi kommer att kontakta dig omedelbart.